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三人行:美光发布其首款3D及三级单元固态硬盘
作者: WS 2016-06-06 14:14 【WatchStor】

美光科技公司日前宣布其首款3D NAND 固态硬盘,拥有三级单元的(TLC PR3bits/cell)1100和2200系列产品。

英特尔,是它的闪存代工合作伙伴,也推出了自己的3D固态硬盘,MLC(2bits/cell)产品,在三月还推出了其直流产品 P3320和P3520,拥有最大可达2TB的容量。这些产品都带有一个NVME接口,而美光科技公司的1100产品带有较慢的6Gbit/ s的SATA接口。

2200是一个PCIe NVMe设备,比1100拥有更好的性能。

1100是一个6Gb /s 的SATA产品,分别具有256GB、512GB、1024GB和2048GB(仅2.5英寸)四个容量点的2.5英寸和M.2 SATA格式的规格。虽然实际的进程大小还没有被透露,但是我们知道它采用了带有384Gb的32层TLC NAND。

下面是1100的速度和进给;

92000的随机读取4K IOPS

83000的随机写入4K IOPS

530MB/s 的连续读取

500MB/s 的连续写入

延迟 - 读/写分别为85μs/40μs的典型FOB

持久性 - 120TB的写入性能 - 256GB,240TBW - 512GB,400TBW 1 & 2TB(五年内,可以实现224GB/天)

在M.2规格下的美光1100 3D NAND 固态硬盘

唯一可用的英特尔3D SSD性能对比产品为P3320:

365000的随机读取4K IOPS

22000的随机写入4K IOPS

1600MB/s的连续读取

1400MB/s的连续写入

除了随机读取性能外,它都远超过了1100。

1100与128GB - 1TB SATA的美光产品M600比较似乎更有好处,该款产品是在2014年9月推出的,其采用了带有128Gb 容量的16纳米工艺的MLC闪存产品。

100000的随机读取4K IOPS

88000的随机写入4K IOPS

560MB/s的连续读取

510MB/s的连续写入

持久性 - 100TB的写入性能 - 128GB,2000 TBW - 256GB,300 TBW - 512GB,400 TBW 1TB

明知道TLC比MLC NAND天生缺乏耐力,是一个缓慢的表演者,但是美光还是在其1100型号上做出了一些值得信赖的努力,使其没有远远落后于M600的性能,当然,它在各个方面的性能还是都有些许的缓慢。

1l00产品带有美光科技公司的DEVSLP功能,这是一种极端的低功耗模式,在DEVSLP模式下,256GB和512GB容量的产品耗能还不到2mW。1TB的产品需要4mW的功耗,而一般TB级的产品都需要25 mW。

例如M600,1100产品带有动态写入加速功能。其不可校正误码率(UBER)在每1015位读取时小于1个扇区。该产品具有加密和安全擦除功能。它拥有150万小时的 MTBF(平均无故障时间)等级。

美光2200 PCIe NVMe闪存驱动器

关于2200产品的信息很少,基本等于没有,目前还没有得到其类似于3D NAND 固态硬盘相关零件的信息。只知道,这是一个配置了1TB容量放置在M.2机型内的客户端设备。并且我们被告知,这带来了四倍的SATA 固态硬盘的带宽和低延迟性能。真的吗?因为带有NVMe?谁会想到是这样的!

美光科技公司在4月份推出了7100和9100的平面MLC NVMe驱动器,因此2200能够从其NVMe驱动器产品中受益。

实际上,美光科技公司的2200型号应该比1100快得多,相当于英特尔的P3320,虽然速度较慢,因为这是一个3D MLC设备,而不是一个TLC设备;它应该也比72100和9100产品慢一些。纵观英特尔与美光的各个3D NAND固态硬盘,感觉他们各自都在瞄准了不同的细分市场,目光长远。

据悉,1100和2200将会在第三季度推出,其中1100将会首先推入市场。


标签:固态硬盘 SATA 

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