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单条64GB!全球首个3D DDR4内存量产
作者: 佚名 2014-08-28 10:43 【驱动之家】

三星电子今天宣布,已经开始批量投产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。

这是主要面向服务器应用的RDIMM条子,上有多达36颗DDR4 DRAM内存颗粒,每一个都封装了4个4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片,单颗容量2GB,并采用三星先进的2xnm工艺制造,不过三星并未公布频率、电压等规格。

如此高的密度要感谢TSV技术。这是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连方式,可将多个芯片堆叠起来,提升容量和性能。

三星在2010年的4xnm 8GB内存上就首次使用了TSV,2011年又完成了3xnm 32GB,现在是第一次用于DDR4。

事实上,随着半导体集成度的提高,很多地方都纷纷开始了3D堆叠,三星此前就宣布已经投产第二代3D V-NAND立体闪存,创下存储密度新高。

单条64GB!全球首个3D DDR4内存量产
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三星这次堆叠了四层
单条64GB!全球首个3D DDR4内存量产
走线堆叠VS.硅穿孔堆叠

标签:DRAM 内存计算 

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