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DDR4能否引领新一轮存储变革?(1)
作者: 徐文芝 2015-02-03 11:14 【新浪科技】

动态随机存取内存(DRAM)是常见的内存组件。在处理器相关运作中,DRAM经常被用来当作数据与程序的主要暂存空间。相对于硬盘或是闪存 (Flash Memory),DRAM具有访问速度快、体积小、密度高等综合优点,因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中,例如计算机、手机、游戏机、影音播放器等等。

自1970年英特尔(Intel)发表最早的商用DRAM芯片-Intel 1103开始,随着半导体技术的进步与科技产品的演进,DRAM标准也从异步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、进展到上下缘皆可触发的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。

每一代新的标准,目的不外乎是针对前一代做以下的改进:单位面积可容纳更多的内存、数据传输的速度更快、以及更少的耗电量。更小、更快、更省电,是半导体产业永不停息的追求目标,当然DRAM也不例外。

固态技术协会(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM标准,DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM,也就是DDR3的发表,已有5年之久。

对于产品日新月异,瞬息万变的科技业而言,5年是非常久的时间。2007年6月第一代iPhone问世,同年DRAM产业宣布DDR3时代来临;到了2012年,iPhone都已经推进到iPhone5了,DRAM才正式进入DDR4,相比之下DRAM的进步不得不说相当缓慢。

随着移动设备的盛行,个人计算机市场逐渐式微,加上缺乏可以刺激消费者积极更新设备的应用程序,这些因素都降低了大众对新一代DRAM标准的渴望。

即使新标准看起来有更多优点,但无法激起消费者的购买欲望,就没有市场,新一代DRAM的需求若不显著,DRAM厂对于投入资金研发新技术的意愿就显得意兴阑珊,新标准的制定也就不那么急迫了。

DDR4内存能引领新革命吗?难!

DDR4 PK DDR3

即使缓步前进,DDR4终究还是来到大家的面前。新的标准必定带来新的气象,让我们来看看DDR4与DDR3有什么不同之处:

DDR4内存能引领新革命吗?难!

DDR4标准与DDR3标准简单对照表

储存容量:

单一的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间,而每个DDR4模块(module)最多可搭载8个DDR4芯片,比DDR3多一倍。也就是说,DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置,DDR4可容纳更大的内存容量。换个角度来说,在容量需求不变的情况下,DDR4所需的空间比DDR3要小。

传输速度:

DDR3的传输速度从800MHz(MHz=每秒百万次)到2133MHz不等;DDR4的传输速度从2133MHz起跳,目前的规格定义到3200MHz,将来可望达到4266MHz。

耗电量:

省电是DDR4最明显的改进之处。DDR3所需的标准电源供应是1.5V(伏特,电压单位),而DDR4降至1.2V,专门为移动设备设计的低功耗DDR4(LPDDR4)更降至1.1V。

除了降低工作电压,DDR4支持深度省电模式(Deep Power Down Mode),在暂时不需要用到内存的时候可进入休眠状态,无须更新内存(Refresh),可进一步减少待机时功率的消耗。

DDR4内存能引领新革命吗?难!

DDR4 vs. DDR3的标准化能量消耗

除了上述的三个主要部份外,DDR4还支持命令/地址总线上的同位核对(parity check),以及在数据写入时,数据总线上支持循环冗余检验(CRC)等功能,以自动侦错的方式来避免因讯号干扰而导致不正确的命令或数据被写入内存,增加高速传输时数据的完整性。


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标签:DRAM 

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