WatchStor.com — 领先的中文存储网络媒体 | 51CTO旗下网站

新闻资讯 > PCIe闪存 > 正文
“中国芯”加油!中芯国际自主搞定38nm NAND闪存
作者: 佚名 2014-09-12 09:56 【驱动之家】

中芯国际(SMIC)今天宣布,完全自主研发的38nm NAND闪存工艺已经准备就绪,凭此成为国内唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。

中芯国际的38nm闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IOT)、电视及机顶盒等应用领域,也可用于串行外设接口SPI NAND。

在此之前,中芯国际已经连续开发出了130nm、65nm等工艺的特殊NOR闪存平台,后续还会继续研发2x/1xnm NAND、3D NAND等先进工艺。

虽然中芯国际的技术和当前国际主流的20/19nm NAND闪存差了一大截,东芝、美光等的16/15nm NAND也都开始量产了,但这毕竟是中芯国际的“第一次”,实现了巨大的飞跃,打破了国际垄断,后续也值得期待。

“中国芯”加油!中芯国际自主搞定38nm NAND闪存

标签:PCIe闪存 内存计算 物联网 

了不起的IT经理
LecVideo
论坛与活动