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控制芯片改变NAND Flash

Watchstor.com  佚名丨2009-09-09 15:51 标签:大数据 混合云 数据保护 云存储 服务器虚拟化 

快闪记忆卡龙头厂新帝(SanDisk)执行长Eli Harari在一年一度的Flash Memory Summit上提出几项NAND Flash产业未来趋势走向。Harari提出几个关键表示,NAND Flash产业就技术层面而言,x3(3-bit-per-cell)和x4(4-bit-per-cell)技术会快速取代x2(2-bit-per-cell)技术,而3D技术崛起也将是趋势之一。

再者,随着固态硬盘(SSD)应用的普及化,未来控制芯片的重要性会逐渐凌驾于NAND Flash芯片本身。Harari表示,过去NAND Flash产业随着制程微缩和技术演进的脚步,芯片价格每年都会大幅度的下跌,在2005~2009年之间,NAND Flash芯片每年成本下降的幅度约60%,此期间产业技术从SLC移转至MLC技术。

预计到了2010~2013年之间,成本下降的幅度将缩减至40%,产业主流技术从MLC技术转到x3(3-bit-per-cell)和x4(4-bit-per-cell)技术。Harari进一步表示,随着SSD时代来临,管理NAND Flash功能的控制芯片角色会被凸显,未来此产业的焦点会被放在控制芯片上,而非NAND Flash芯片本身。反观台厂布局,从快闪记忆卡控制芯片转换跑道到SSD控制芯片上,由于对于质量和效能的进入门坎相当高,台系IC设计公司目前进度较为落后。

2009、2010年会是SSD产业的蛰伏期,也是台系IC p公司练兵的好时间点,目前投入生产SSD控制芯片的业者包括群联、慧荣、联阳、安国、智微、银灿等。对于半导体产业迎接18吋晶圆厂时代来临,Harari也表示,18吋晶圆厂需要的资金投入太多,NAND Flash看不出来从12吋晶圆厂转型到18吋晶圆厂的必要。此外,就技术层次而言,由于看好未来3D技术的发展,目前新帝和东芝(Toshiba)正在研发可取代NAND Flash的3D技术,但真正的关键是在材料端,预计3D技术要成熟或有所突破,还要再好几年的时间。

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