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英特尔固态硬盘将全面转入34nm生产工艺

Watchstor.com  佚名丨2009-09-03 17:23 标签:硬盘/SSD 硬盘 

根据英特尔最新公布的路线图显示,在2009年下半年,英特尔固态硬盘产品将全面转入34nm生产工艺,届时其容量会提高到320GB。

自2008年英特尔涉足SSD固态硬盘领域,之后推出了针对家庭和企业级市场的不同速度和容量的英特尔固态硬盘。而到了去年11月24日,英特尔更是联合美光公司宣布基于34nm制造工艺技术的32Gbit MLC型NAND闪存已开始量产。双方以在合资公司IM Flash Technologies(IMFT)开发的制造技术,生产可集成于48引脚TSOP(薄型小尺寸封装)的单片结构闪存芯片。

根据计划,面向企业级的X25-E会最先升级到34nm,不过由于采用了更快的SLC芯片,其容量只有64和128GB,但这也比目前的容量翻了一倍。其他型号如X25-M MLC和1.8寸的X18-M MLC将会从50nm NAND芯片升级到34nm,容量将从80/160GB升级到80/160/320GB三种容量。

英特尔固态硬盘除了工艺改进、容量翻番,新款英特尔固态硬盘的控制器也会升级,性能也会更好。Intel也还将在2010年第一季度推出Turbo Memory技术的升级版“Braidwood”,将配合Q57/P57/H57等新一代芯片组为桌面级PC带来性能提升。

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